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Temperature Sensing Elements for Harsh Environments in a 4H-Sic CMOS Technology
Jiarui Mo, Jinglin Li,Alexander May, Mathias Rommel,Sten Vollebregt,Guoqi Zhang
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 10 (2024): 5881-5887
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Time-Dependent Dielectric Breakdown of 4H-Sic MOSFETs in CMOS Technology
Yaqian Zhang,Jiarui Mo,Sten Vollebregt,Guoqi Zhang,Alexander May,Tobias Erlbacher
2023 24TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONIC PACKAGING TECHNOLOGY, ICEPT (2023)
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High-Performance Silicon Carbide-on-Insulator Thermoresistive High-Temperature Sensor up to 750 °C
Baoyun Sun,Jiarui Mo,Willem D. van Driel,Guoqi Zhang
2023 22nd International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (Transducers)pp.197-200, (2023)
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MOSFET-Based and P-N Diode Based Temperature Sensor in a 4H-SiC CMOS Technology
Jiarui Mo, Jinglin Li,Yaqian Zhang,Alexander May,Tobias Erlbacher,Guoqi Zhang,Sten Vollebregt
2023 22nd International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (Transducers)pp.201-204, (2023)
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